我国简直以1500亿美圆的投资标明了其在存储芯片范畴自给自足的决计，并且最有可能完成其目的。这些内存方案之一就是合肥长鑫和长江存储分别在DRAM和NAND FLASH技术工艺的扩展和开展。

依据长江存储和合肥长鑫的产品开展道路图。到2021年，二者分别在NAND FLASH和DRAM的产品研发进度上获得打破，后者将完成17nm的研发。到2020年，长江存储直接腾跃到128层3D NAND的目的，并消弭从64层到128层的过程，且绕开主要NAND制造商消费的96层闪存芯片。

关于存储器市场，国内主要几家存储厂商开展正劲。由于我国是半导体的主要市场，大局部靠进口。2018年，我国在进口半导体组件上破费了3120亿美圆。内存芯片构成最大的组件，价值1240亿美圆，简直占比40％。

作为半导体的中心组件，我国尽量希望减少对外资半导体的依赖。同时，希望经过增加本身的的研发作产才能来减少进口此类产品的费用。

另外，最近与美国的贸易争端加剧了我国方面减少对进口芯片（特别是来自美国公司的芯片）的需求。美国政府决议将华为列入其实体名单，并在其重要需求芯片范畴对其“掐咽喉”。众多事情让我们认识到，假如不开展本人的芯片，未来又会发作什么。

依据<电子发烧友>记者控制的信息，目前全球存储NAND FLASH市场由六家公司控制。三星，东芝，美光，西部数据，SK海力士和英特尔。DRAM市场愈加集中，只要三家公司消费简直一切的DRAM芯片。它们分别是三星，SK海力士和美光。

反观国内，长江存储着力于NAND FLASH的消费，合肥长鑫努力于DRAM的消费。福建晋华曾经是第三家，但由于美国商务部对其DRAM设备、器件的禁售， 亿配芯城 招致其暂堕入窘境。

国内的存储芯片消费研发起步较晚。在NAND FLASH产品方面，2018年第二季度，长江存储才正式推出32层的3D NAND闪存芯片，今年8月该公司的64层3D NAND已启动量产。令人惊喜的是，合肥长鑫DRAM产品19nm级第一代8Gb DDR4也开端投产。

目前的产量很低，每月约有20,000个12英寸晶圆，但两家公司应该可以在明年之前将月产量进步到100,000至150,000个晶圆。两家公司在工艺技术方面也落后，但他们有雄心勃勃的方案来减少差距。

例如，长江存储的目的是在2020年完成128层QLC芯片的批量消费，这与其他打算消费128层芯片的NAND制造商相吻合。该公司宣称其Xtacking架构为其NAND芯片提供了更高的性能，并具有更快的读写速度，更高的存储密度和更短的产品制造周期。

合肥长鑫的平尔萱博士在CFMS2019上的一次演讲中指出，该公司正在研讨包括EUV，HKMG和GAA在内的技术，这将使其可以改善其当前的10nm级制造工艺。他宣称本人的技术与同行相近，目的是尽快赶上。

更重要的是，国产存储企业打算将在产线消费才能上进步到几。除武汉和合肥外，我国另外三个城市也正在建立存储器工厂。同时，晋江也可能会开端DRAM消费，但是目前由于法律问题，参与其中的公司福建晋华目前处于窘境。

表1：国产存储芯片五大研发作产基地。 来源/电子发烧友制表

就投资工程而言，已拨出100到1500亿美圆的资金来协助在这些城市中启动内存消费。晶圆厂的产能将分阶段上线，但五个城市中的每个晶圆厂最终将具有每月200,000至300,000片12英寸晶圆的产能。

假如一切按方案停止，国产存储芯每月的内存消费才能将在1,000,000至1,500,000晶圆之间。依据笔者查询到的相关数据显现，目前全球DRAM和NAND存储器的月消费才能分别约为1,200,000和1,500,000片晶圆。

这些数字分明地标明，从如今起以至可能更快的几年内，国产存储芯片将可以在存储器市场的供给方面发挥很大的影响力。

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