到2021年，国内存储企业将无后顾之忧
2024-07-29我国简直以1500亿美圆的投资标明了其在存储芯片范畴自给自足的决计，并且最有可能完成其目的。这些内存方案之一就是合肥长鑫和长江存储分别在DRAM和NAND FLASH技术工艺的扩展和开展。 依据长江存储和合肥长鑫的产品开展道路图。到2021年，二者分别在NAND FLASH和DRAM的产品研发进度上获得打破，后者将完成17nm的研发。到2020年，长江存储直接腾跃到128层3D NAND的目的，并消弭从64层到128层的过程，且绕开主要NAND制造商消费的96层闪存芯片。 内存芯片为何如此重要