FRAM存储器

  FRAM铁电存储器。是利用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应存储非易失性数据的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，具有高速读写、高读写耐久性、低功耗和防窜改造的优点。

  富士通FRAM主要有三个优点：高读写入耐久性、高速写入能力和低功耗，这是大多数同类存储器无法比拟的。例如，FRAM的写入寿命高达10万亿次，而EEPROM只有100万次(10^6)。富士通FRAM的写入数据可以在150ns内完成，速度大约是EEPROM的1/30,000。写字节数据的功耗只有150nJ，大约是EEPROM的1/400，在电池供电应用中有很大的优势。

  通过市场的长期广泛验证和技术的不断突破，富士通FRAM产品已经成功应用于许多行业。近年来，随着物联网、汽车电气化等趋势的不断出现，富士通进一步推出了低功耗或车辆级别的FRAM产品， 电子元器件采购网 适应物联网设备、汽车电子等行业的发展，为客户提供优质可靠的解决方案。

  BMS应用于汽车电子领域，采用富士通型号MB85RS256TY和MB85RS128TYFRAM产品，自主研发BMS系统。与此同时，业界知名的意大利FI轮胎制造商也使用富士通FRAM产品进行胎压监测。富士通FRAM以其耐久性高、写入速度快、可靠性高等特点，以及通过车规级认证的产品优势，成为赋能关键型汽车应用的首选。

  富士通FRAM除汽车规格级铁电存储器FRAM产品赋能汽车电子应用外，还具有高烧写耐久性和低功耗等特点，适用于系统网关(Gateway)中记录和存储重要数据。高度可靠的FRAM是高端医疗领域为数不多的电子产品之一。现已成功应用于CT扫描仪、监护仪、自动CPAP(连续正气道压力)设备、助听器、医疗电子标签等产品，提高了医疗行业的生产效率。

• 存储器
• 特点
• 使用范围
• 富士通
• FRAM