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新一代存储芯片竞争正酣，中国应如何做？
- 发布日期：2024-07-20 07:48 点击次数：168 最近，美光、三星、SK海力士和英特尔等大多数存储制造商开始期待明年的市场复苏。他们加大了推广新技术和新工艺的力度，希望在新一轮市场竞争中占据有利地位。专家指出，随着云计算和人工智能对数据计算能力提出越来越严格的要求，DRAM和NAND存储能力正成为瓶颈，新一代存储芯片的开发将成为全球各大存储制造商争夺的焦点。市场:大多数存储制造商对明年[/h/]的前景持乐观态度。根据吉邦咨询(Jibang Consulting)发布的数据，DRAM市场价格已经扭转了此前第三季度的下跌趋势，并变化至相同水平。8月份DRAM合同价格与上月持平，DDR4 8GB平均价格达到25.5美元。至于NAND闪存市场，这一下降趋势在上季度有所逆转。随着对智能手机、笔记本电脑和服务器需求的恢复，NAND闪存市场已经摆脱了以前出现的“无休止下降”趋势，并有所好转。大多数存储供应商已经开始期待明年市场的复苏。在这种情况下，美光、三星、SK海力士、英特尔等都加大了推广新技术和新工艺的力度，试图通过新旧一代产品的交替来克服危机，并在新一轮市场竞争中占据有利地位。技术升级一直是存储芯片公司之间竞争的主要策略半导体专家莫康指出，存储芯片具有高度标准化的特性和单一品种，难以实现产品差异化。这导致制造商需要关注技术和生产规模，以相互竞争。因此，每当新旧市场结构发生变化时，制造商往往会打技术牌，以增加产品密度，降低制造成本，并通过更换新旧产品获得竞争优势。技术:3D堆叠VS工艺缩放3D是NAND闪存发展的主要趋势。所有NAND闪存制造商都在加大3D堆叠的研发力度，以尽可能提高闪存的存储密度三星的第一代3D虚拟与非门只有24层，第二代有32层，接下来是48层...目前，市场上主流的3D NAND产品有64层。今年8月，三星电子再次宣布批量生产100层以上的第六代3D NAND闪存。美光的技术最近也宣布了一个128层流式3D NAND，预计将在2020年生产商业可用的3D NAND在最近的“Mircon Insight2019”技术大会上，美光科技Sumit Sadana执行副总裁兼首席商务官表示，如果广泛使用128层3D NAND，将会大大降低产品的每比特成本
SK Hynix在年初宣布，将投资约1.22万亿韩元开发和生产内存芯片。SKHynix目前的主流3D NAND闪存是72层SKHynix表示，到2021年，下一代3D NAND堆栈将有90多个层，下一阶段有128个层，140个层与NAND闪存不同，DRAM更难堆叠芯片层，因此大多数制造商只能通过减小电路间距来提高性能效率。缩短电路距离的优点包括提高信号处理速度、降低工作电压和增加每个硅片的DRAM输出。这也是主要制造商发起纳米竞争的原因。据悉，SK Hynix在成功开发第二代10纳米技术(1Y nm)后11个月取得了新进展，成功开发了采用10纳米技术(1z nm) Lee的第三代16G DDR4 DRAMSK Hynix DRAM开发和业务负责人Jung-hoon表示:“1z nm DDR4 DRAM提供了业界最高的密度、速度和能效，是高性能、高密度DRAM客户适应不断变化的需求的最佳选择。“10纳米e 1工艺分为1代(1x)、2代(1y)和3代(1z)1z nm的生产效率比上一代高27%。SK Hynix将于明年开始批量生产并完成交付。除SK海力士外，三星电子和美光也成功实施了1z项目。三星电子于3月完成了1z DRAM的开发，并于9月开始大规模生产。三星电子还表示，将在今年年底前推出极紫外(EUV)光刻技术。美光还在今年8月宣布开发16Gb工艺的DDR4。目前， 亿配芯城 美光已经开始批量生产16Gb DDR4，1z nm密度更高，功耗降低40%。焦点:新一代内存芯片已经开始大规模生产云计算和人工智能对数据计算能力提出了越来越严格的要求。DRAM和NAND存储能力正在成为瓶颈，越来越多的新一代存储芯片正在开发中。因此，新一代存储器芯片的布局和开发也成为各大存储器公司争论的焦点。在“mircon insight 2019”技术大会上，美光科技正式宣布推出基于3d xpointtechnology的超高速SSD硬盘X100这是美光产品线中数据中心的第一个存储和内存密集型应用解决方案。使用下一代3D XPoint存储技术，它在内存到存储层次结构中引入了一个新的层次，比DRAM具有更大的容量和更好的耐用性，比NAND具有更高的耐用性和更强的性能美光Sumit Sadana执行副总裁兼首席商务官表示:“美光是世界上为数不多的DRAM NAND和3D XPoint解决方案垂直集成提供商之一。该产品将继续推动我们的产品组合向更高价值的解决方案发展，从而加快人工智能能力的发展，加快数据分析速度，为客户创造新的价值“三星专注于开发新一代存储技术MRAM今年早些时候，三星宣布生产第一款商用eMRAM产品。三星计划在今年内开始生产1G eMRAM测试芯片，采用基于功能扩散硅绝缘体上硅的28纳米工艺。三星代工市场Ryan Lee副总裁表示:“在克服了新材料的复杂挑战后，我们引入了嵌入式非易失性存储器eMRAM技术。通过eMRAM和现有成熟逻辑技术的结合，三星代工继续扩展其新兴的非易失性存储器技术组合，以满足客户和市场需求。“TSMC也重视下一代记忆的发展2017年，TSMC科技主管孙元成首次透露，TSMC已经开始使用22纳米工艺开发eMRAM和eRRAM。这是TSMC的新内存，它在四个领域提供更快的性能和更低的功耗:物联网、移动设备、高速计算计算机和智能汽车。TSMC联合执行董事刘德银在最近一次媒体采访中表示，TSMC不排除收购一家内存芯片公司，并再次表示对下一代内存技术感兴趣。中国:努力成为行业的“贡献者”。目前，中国半导体制造商也在积极发展存储芯片产业。考虑到主要国际仓储工厂仍在构筑高技术壁垒，中国仓储行业还有很长的路要走，技术和创新将是成败的关键。对此，莫康曾指出，从整体产业形势来看，中国的仓储行业在未来很长一段时间内必须是一个脚踏实地的“跟随者”和“学习者”，同时也是行业共同进步的“贡献者”。今年9月，长江仓储宣布批量生产Xtacking架构的64层3D NAND长江仓储联合首席技术官、技术研发中心高级副总裁成伟华表示:“通过将Xtacking架构引入大规模生产，可以显著提高产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而促进高速大容量存储解决方案市场的快速发展。长江存储还宣布正在开发下一代X-Xtaking 2.0技术，这将进一步提高NAND的吞吐率，提高系统级存储的综合性能，并为定制NAND开辟新的业务模式今年9月，合肥长信在2019年世界制造大会上宣布生产DRAM存储芯片。合肥长信现场展示了8Gb DDR4芯片，采用19纳米(1x)工艺生产，与国际主流DRAM工艺基本同步。长信仓储董事长兼首席执行官朱一鸣表示，8Gb DDR4已经通过众多国内外大客户的验证，将于今年年底正式交付。另一种用于移动终端的低功耗产品将很快投入生产。然而，中国的内存芯片产业仍处于起步阶段。根据吉邦咨询的评估，2020年中国的仓储产量仅相当于全球产能的3%。为了发展壮大，在国际市场上发挥影响力，自力更生始终是企业成功的关键。
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