聚焦SENSOR CHINA2017，看国产传感器如何发力？

9月11号—13号，中国(上海)国际传感器技术与应用展览会(SENSOR CHINA 2017)在上海成功召开。经过20年的行业积累和沉淀，IAC+SENSOR CHINA 进行战略调整，携手业界重量级合作伙伴，整合各方资源，全新打造SENSOR CHINA 2017，并将更加专注传感器领域。 近年来，伴随着工业4.0和工业互联网等新理念的引入、物联网概念的兴起，智能家居、可穿戴产品、智慧城市、智慧交通等领域的市场快速成长。物联网对传感器的需求急剧增大，目前全球有30~50亿个传感器，到202

【深度解读】强悍AI加持下的华为麒麟970

9月25日，华为在北京召开了麒麟 970 的媒体沟通会，这是麒麟970在国内首次亮相。和在沟通会上，华为公布了麒麟 970 更多的技术细节和具体应用。 与德国发布相比，麒麟970的基本参数依旧没有变化，采用ARM Cortex-A73四核+Cortex-A53四核的架构，台积电10nm制造工艺，搭载12核GPU、8核CPU、集成了寒武纪的NPU模块，设计了HiAI移动计算架构等等。 麒麟970芯片规格： •台积电10纳米工艺，约100平方毫米的芯片面积内建有55亿晶管体 •ARM的big.LI

Diodes Inc ZXTP25040DFHTA PNP晶体管，3 A，40 V，3引脚SOT-23

ZXTP25040DFH 40VSOT23PNP中功率晶体管 摘要 BVCEO -40V BVECO -3V; IC（CONT）= -3A RCE（sat）= 55米; VCE（sat）-85mV @ 1A; PD = 1.25W 辅助部件号ZXTN25040DFH 描述 先进的工艺能力和包装设计已被用于 最大化这个小轮廓的功率处理和性能 晶体管。 该设备的紧凑尺寸和额定值使其成为理想选择 适用于空间有限的应用。 特征 高功耗SOT23封装 高峰值电流 饱和电压低 3V反向阻断电压 应用 MO

三星通知渠道商：计划下季DRAM再调涨报价3~5%

DRAM供不应求短期难解，全球DRAM制造龙头韩国三星半导体通知渠道商，计划明年第1季再调涨DRAM报价，涨幅3~5%，其中以行动式DRAM涨幅较大，这也说明三星在采取节制性增产下，仍不愿放弃持续拉升DRAM获利，推升集团获利表现，有助破除让近期市场担心三星可能会扩产，打乱DRAM产业秩序的疑虑。 中国台湾地区DRAM大厂也强调，目前主要大厂包括三星、美光和SK海力士等，仍以升级制程作为提高DRAM产出的主要方向，预料即使三星调升部分产线，增加的DRAM产出仍无法满足市场需求，预料明年DRAM

W3011 1 GHz正交调制器

特征 + 2.7 V电源保证性能 +输出功率为3 dBm至50 W负载（单端） 3 V操作 +带或不带偏移混频器的直接RF调制 +自动功率控制（APC）功能 +精确的90°移相器用于载体 +双平衡有源混频器可最大限度地减少载波 穿通（原点偏移） +低电流睡眠模式 应用 + PDC800和美国数字移动电话 错误矢量幅度（EVM）测试的说明 通过如上表5中所述将信号馈送到W3011来估计误差矢量幅度（EVM）。 典型的窄带，正弦波调制输出频谱如图3所示。 终端 +蜂窝基站 描述 W3011 1 G

AD820 单电源、轨到轨、低功耗、FET输入运算放大器

AD820是一款精密、低功耗、FET输入运算放大器，可以采用5 V至36 V单电源或±2.5 V至±18 V双电源供电。该放大器具有单电源供电能力，输入电压范围可扩展至负供电轨以下，因此在单电源模式下可以处理地电压以下的输入信号。输出电压摆幅可扩展至各供电轨10 mV以内，以提供最大的输出动态范围。 电池供电精密仪器仪表 光电二极管前置放大器 有源滤波器 12位至14位数据采集系统 医疗仪器 低功耗基准电压源和稳压器 直流精度性能包括最大800 μV的失调电压、2 μV/°C的失调电压漂移、小

设计无线发射器和接收器，需要了解哪些？

无线发射器和接收器在概念上，可分为基频与射频两个部份。基频包含发射器的输入信号之频率范围，也包含接收器的输出信号之频率范围。基频的频宽决定了数据在系统中可流动的基本速率。基频是用来改善数据流的可靠度，并在特定的数据传输率之下，减少发射器施加在传输媒介(transmission medium)的负荷。因此，PCB设计基频电路时，需要大量的信号处理工程知识。发射器的射频电路能将已处理过的基频信号转换、升频至指定的频道中，并 将此信号注入至传输媒体中。相反的，接收器的射频电路能自传输媒体中取得信号，

LED芯片厂四季度开出降价第一枪 跌势或延至明年首季

全球LED市场进入第4季传统淡季却迎来震撼弹，供应链业者指出，经过近一年来LED降价供给吃紧之后，近期LED厂包括三安、华灿等率先针对主流规格LED产品降价，个别品种降幅甚至高达20%。 降价表明整体产能供需已出现反转，在终端市场需求减缓、陆厂产能持续释出下，部分业内人士认为，LED市场供过于求的危机也有可能再度浮现，目前下游厂商仍在观望。 关于LED芯片价格和供需关系，上月，华灿光电在回答投资者提问时表示，LED芯片价格波动剧烈非真实情况。对华灿光电来说，四季度价格整体下降在5%以内，毛利率

苹果核心设计师跳槽谷歌：安卓又有新SoC了

芯片设计大牛们被竞争对手挖走是常有的事，外媒Engadget报道称，苹果前A系列芯片设计师John Bruno已经跳槽谷歌。 John Bruno曾帮助苹果创建并运营芯片团队，2012年加入。他投身苹果前，曾在AMD担任首席工程师，领导ATI图形团队的架构设计工作，APU处理器就是他带起来的。 John在苹果呆了1年后，iPhone 5s的A7芯片横空出世，成为全球首家推出64位移动处理器的公司。 目前，LinkedIn档案显示，John在谷歌也是负责架构工作，但具体的职位不详。 其实很早就有

场效应管应用的四点详述

我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管；绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管。 1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿 由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题．由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在栅极感应出

MCU引爆2018涨价新行情

车用电子芯片龙头恩智浦开出今年全球微控制器芯片调涨第一枪，市场预期可能缺货一整年，后市有机会带动相关台股上下游供应链，迎来一波涨价题材。 台股反映产品报价调涨的行情持续，半导体“MCU(微控制器芯片)”及全球汽车电子芯片龙头大厂NXP(恩智浦)，宣布第一季开始，旗下产品线皆调涨报价，恰好搭上台股近期火热到不行的“涨价题材”热潮，预料有望带动MCU相关台厂未来股价表现，成功复制前几波如：矽晶圆、存储器、原物料、MOSFET、被动元件等类股，因反映产品报价调涨而走出亮眼涨升波段。 MCU涨价大厂鸣

详解三极管NPN与PNP区别

一、回顾历史 在分享三极管NPN和PNP之前，先让大家来回顾一下三极管的发展史。1.电子管在晶体管出现之前，有一种作用和晶体管类似的器件，叫做电子管。1904年，世界上第一只电子二极管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了。电子管，是一种最早期的电信号放大器件。一种被封闭在玻璃容器（一般为玻璃管）中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极（屏极）引线被焊在管基上，利用电场对真空中的控制栅极注入电子调制信号，并在阳极获得对信号放大或反馈振荡后的不同参数信号数据。 电子管用于早期的电视机、收音机扩音