10月17日，国电南瑞科技股份有限公司（以下简称“国电南瑞”）发布公告称，拟与国度电网有限公司（以下简称“国网公司”）下属科研单位全球能源互联网研讨院有限公司（以下简称“联研院”）共同投资设立南瑞联研功率半导体有限义务公司（以工商部门核准称号为准，以下简称“合资公司”），由该合资公司施行IGBT模块产业化项目的局部投资。

公告指出，国电南瑞拟以IGBT模块产业化项目的局部募集资金55,864.45万元出资，占合资公司69.8305625%股权，联研院以技术作价出资24,135.55万元（该出资技术的评价值曾经国有资产管理单位备案），占合资公司30.17%股权。触及变卦施行主体的方案投资额55,864.45万元，占IGBT模块产业化项目投资额的33.98%，占公司募集资金总筹资额的9.15%，相关募集资金用处、建立内容、地点等不变。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是国度产业政策重点支持开展的功率半导体器件，技术难度大、研发及产线建立周期长、资金投入大,中心技术不断被国外企业垄断，目前国内高端人才缺乏，国内仅有少量厂商展开高压IGBT研制业务。联研院是国度电网公司直属科研单位，国内首家专业从事全球能源互联网关键技术和设备开发的高端科研机构。

联研院于2010年开端研讨功率半导体器件，具有100多人的技术团队和先进的功率器件中试线，是国内少数控制高压IGBT芯片设计技术的单位之一。在功率半导体器件范畴，联研院承当国度科技严重专项（02专项）“国产高压大功率IGBT模块电力系统应用工程”等攻关任务，自主研发了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件，其中3300V/1500A压接式和焊接式IGBT器件，控制成套的设计、制备等中心技术，突破了国外技术垄断，胜利研制1200V至6500V碳化硅二极管样品，完成了新一代电力电子器件的严重创新打破。

国电南瑞指出，经过与联研院协作，有利于公司降低IGBT等功率器件技术研发及产品批量化消费的风险，保证中低压、加快高压IGBT等功率半导体芯片及模块研制和产业化进程。为加快公司产业链延伸和产业晋级， 亿配芯城 加强企业中心竞争力，进步公司募集资金运用效率和效果，降低公司募投项目投资风险，公司拟以“IGBT模块产业化项目”局部募集资金出资与联研院共同设立合资公司，并增加合资公司为该项目的施行主体。

公告显现，经中国证券监视管理委员会《关于核准国电南瑞科技股份有限公司向南瑞集团有限公司等发行股份购置资产并募集配套资金的批复》（证监答应[2017]2224号）核准，公司以非公开发行股份方式向7名特定投资者发行了钱普通股381,693,558股，发行价钱为15.99元/股，本次发行募集资金总额为61.03亿元元，扣除各项发行费用83,23.94万元，实践募集资金净额为60.2亿元。上述募集资金已于2018年4月8日全部到位。

“IGBT模块产业化项目”是上述募集资金投资项目之一，依据原方案，“IGBT模块产业化项目”全部由国电南瑞母公司施行，项目投资总额为164,388万元，项目建立期42个月，项目投产后第7年到达本项目估计的消费才能。截止2019年8月31日，该项目已累计运用募集资金2,370.53万元，占总投资1.44%，剩余募集资金162,017.47万元（不含利息）。

公告指出，公司本次拟增加“IGBT模块产业化项目”的施行主体，以方案用于该项目设备投资的局部募集资金出资，与联研院以技术作价出资共同投资设立合资公司，即由该合资公司施行IGBT模块产业化项目的局部投资。触及变卦施行主体的方案投资额为55864.45万元，占“IGBT模块产业化项目”投资额的33.98%，占公司募集资金总筹资额的9.15%，相关募集资金用处、建立内容、地点等不变。

国电南瑞表示，本次买卖有利于募集资金投资项目的运作和施行、进步募集资金的运用效率、加快募集资金投资项目的施行进度。

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