富士通FRAM存储器的特点及使用范围
2024-08-21FRAM存储器 FRAM铁电存储器。是利用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应存储非易失性数据的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，具有高速读写、高读写耐久性、低功耗和防窜改造的优点。 富士通FRAM主要有三个优点：高读写入耐久性、高速写入能力和低功耗，这是大多数同类存储器无法比拟的。例如，FRAM的写入寿命高达10万亿次，而EEPROM只有100万次(10^6)。富士通FRAM的写入数据可以在150ns内完成，速度大约是EEPROM的1/30,000。写字节数据的功耗只有15