ZXTP25040DFH

40V SOT23 PNP中功率晶体管

摘要

BVCEO> -40V

BVECO> -3V;

IC（CONT）= -3A

RCE（sat）= 55米;

VCE（sat）<-85mV @ 1A;

PD = 1.25W

辅助部件号ZXTN25040DFH

描述

先进的工艺能力和包装设计已被用于

最大化这个小轮廓的功率处理和性能

晶体管。 该设备的紧凑尺寸和额定值使其成为理想选择

适用于空间有限的应用。

特征

高功耗SOT23封装

高峰值电流

饱和电压低

3V反向阻断电压

应用

MOSFET和IGBT栅极驱动

DC - DC转换器

电机驱动

高端驱动器

订购信息

设备标记

热阻

参数符号限制单位

接点到环境（a）RJA 171°C / W.

接点到环境（b）RJA 119°C / W.

接点到环境（c）RJA 100°C / W.

接点到环境（d）RJA 69°C / W.

笔记：

（a）对于安装在15mm x 15mm x 1.6mm FR4 PCB上的器件表面，具有高覆盖率的单面1oz铜，

仍然是空气条件。

（b）安装在25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB上， 亿配芯城 在静止空气条件下具有高覆盖率的单面2盎司铜。

（c）安装在50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB上，在静止空气条件下具有高覆盖率的单面2盎司铜。

（d）如上所述（c）在t <5秒时测量。

• Diodes
• 晶体管
• PNP
• Inc
• ZXTP25040DFHTA