NPTB00004A

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编号：

937-NPTB00004A

制造商编号：

NPTB00004A

制造商：

MACOM

客户编号:

说明：

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT

数据表:

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产品合规性

CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8542330000 USHTS: 8541290075 KRHTS: 8532331000 MXHTS: 8542330201 ECCN: EAR99

更多信息

NPTB00004A GaN HEMT

MACOM NPTB00004A GaN HEMT is a wideband transistor optimized for DC-6GHz operation. This device has been designed for CW， pulsed， and linear operation with output power levels to 5W (37dBm) in an industry standard surface mount SOIC plastic package. At frequencies below 3GHz， the NPTB00004A is a drop in replacement for the NPTB00004.

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