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标题:IXYS艾赛斯IXXK200N65B4功率半导体IGBT 650V 370A 1150W TO264的应用和技术方案介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXXK200N65B4是一款功率半导体IGBT,其额定电压为650V,额定电流为370A,总功率为1150W。该产品适用于各种需要大功率、高效率的电子设备,如电机驱动、电源转换器、加热设备等。TO264封装使得这款产品在散热和电气性能上具有优异的表现。 二、技术特点 1. IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种复合型电力电子器件,具有开关速
标题:Infineon(IR) IKW30N65H5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKW30N65H5XKSA1功率半导体IGBT是一种高效、可靠的功率电子装置,采用TRENCH 650V技术,具有55A的电流容量。这款IGBT模块在TO247-3封装中提供,适用于各种工业、电力电子和可再生能源应用。 首先,IKW30N65H5XKSA1的TRENCH 650V技术具有显著的优势。这种技术采用沟槽式硅外延层,通过优化载流子注入和传输,提高了器件的饱和电压
标题:IXYS艾赛斯IXXR110N65B4H1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXXR110N65B4H1功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,成为了众多行业中的优选方案。 IXXR110N65B4H1是一款具有650V耐压和150A电流能力的IGBT模块,其额定功率为455W。这款器件的特点在于其高效率、高可靠性以及低热阻,使其在各种工业应用中表现出色。此外,它还具有ISOPLUS247的封装技术,这
标题:Infineon(IR) IGW30N65L5XKSA1功率半导体IGBT:650V 30A TRENCHSTOP TO247-3的技术和方案应用介绍 在当今的电子设备中,功率半导体器件起着至关重要的作用。其中,Infineon(IR)的IGW30N65L5XKSA1功率半导体IGBT以其出色的性能和独特的技术特点,在许多应用领域中发挥着关键作用。本文将详细介绍这款IGBT的特点,以及其在各种技术和方案中的应用。 首先,IGW30N65L5XKSA1是一款具有650V和30A电流能力的I
标题:IXYS艾赛斯IXXX160N65C4功率半导体IGBT 650V 290A 940W PLUS247的技术和方案应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXXX160N65C4是一款高性能的功率半导体IGBT,其额定电压为650V,最大电流为290A,功率为940W。该型号的IGBT在工业和电力系统中具有广泛的应用。本文将介绍IXYS艾赛斯IXXX160N65C4的特性和技术,并探讨其在实际应用中的方案。 二、技术特性 IXYS艾赛斯IXXX160N65C4的IGBT具有以下技术特性: 1.
标题:Infineon(IR) IKW50N65WR5XKSA1功率半导体IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3的技术和应用介绍 Infineon(IR)的IKW50N65WR5XKSA1是一款优秀的功率半导体IGBT,采用TRENCH 650V 80A TO247-3封装,具有卓越的性能和可靠性。这款IGBT在各种工业和电子设备中具有广泛的应用前景。 首先,IKW50N65WR5XKSA1的特性使其在各种高功率应用中表现出色。其650V的额定电压和80A的额定电流使其在需要
标题:IXYS艾赛斯IXGT6N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着电力电子技术的快速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXGT6N170A功率半导体IGBT,以其独特的性能和特点,成为了业界关注的焦点。本文将围绕IXGT6N170A的特性和应用进行介绍。 一、技术特点 IXGT6N170A是一款高性能的功率半导体IGBT,其最大允许电流达到6A,耐压达到1700V,功率损耗降至最低,使其具有高效、节能、环保的特点。该器件采用了IXYS艾赛斯公司独特
标题:Infineon(IR) IKWH50N65WR6XKSA1功率半导体IGBT及其TRENCH技术的应用和方案介绍 随着科技的不断进步,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司的IKWH50N65WR6XKSA1功率半导体IGBT,以其卓越的性能和稳定性,成为了业界关注的焦点。而其采用的TRENCH技术,更是为该器件的广泛应用提供了强有力的支持。 首先,让我们来了解一下IKWH50N65WR6XKSA1这款功率半导体IGBT。它是一款高性能的绝缘栅双极
标题:IXYS艾赛斯IXYH16N170CV1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXYH16N170CV1功率半导体IGBT是一款具有高效率、高可靠性、低噪音等特点的功率电子器件。这款器件采用TO247封装,具有1.7KV的绝缘耐压,最大电流可达40A,适用于各种需要大功率转换的电子设备中。 首先,我们来了解一下IXYS IXYH16N170CV1功率半导体IGBT的技术特点。这款器件采用先进的工艺技术,具有高开关速度和高热导率,能够快速有效地处理大电流和高电压,从而降
标题:Infineon(IR) IGW40N65F5FKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IGW40N65F5FKSA1功率半导体IGBT是一款具有出色性能的650V 74A TO247-3规格的功率半导体。这款IGBT以其高效率、高可靠性以及低损耗等特点,在电力转换和控制系统中发挥着重要作用。 首先,从技术角度看,IGW40N65F5FKSA1采用了先进的工艺技术,具有高饱和电压、高电流容量以及快速开关特性。这使得它在各种恶劣的工作环境下都能保持良好的性能,如