QORVO全新碳化硅基氮化镓放大器可进一步降低电信基础设施成本
2024-10-29 实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天宣布，推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器---QPD2731，有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)解决方案在单个封装中采用两个晶体管，可最大限度提高线性度、效率和增益，并最终降低运营成本。 Strategy Analytics服务总监Eric Higham表示：“相比GaAs和InP等其他高频技术，GaN器件可以处理更高的功率;相比LDMOS等其他功率技
使用氮化镓IC对离线式电源的大电容进行优化
2024-08-04额定功率低于75W的适配器的组成元件包括：输入滤波器、二极管整流器、输入和输出电容、IC控制器、辅助电源、磁性元件、功率器件和散热片。集成解决方案在缩小和简化变换器方面已经取得了长足的进步，剩下的最大元件就是磁性元件、输入大电容、输出电容和EMI输入级。为了减小磁性元件的尺寸，在高频AC/DC变换器的设计上投入了大量的研究和工程工作。然而，输入大电容所占体积与适配器内的磁性元件相比却差不多甚至更大。Power Integrations推出了一款名为MinE-CAP的新IC，旨在解决通用输入设计
总投资15亿元，氮化镓半导体材料项目落户辽宁盘锦
2024-07-25近日，辽宁百思特达半导体科技有限公司投资的氮化镓项目落户盘锦高新区。 该项目方案占地440亩，总投资15亿元，以氮化镓半导体资料为主，相关配套辅助产业为辅，并在盘锦树立新资料闭环产业园。项目方案于11月前开工建立，2021年6月前完工投产。投产后两年内销售产值每年不少于4亿元，年上缴税金不少于2000万元。 近年来，兴隆台区不断注重于新兴产业的开展，在国内外寻求引进电子信息等企业进入兴隆台区，从而构成以中蓝电子为领军的新兴产业集群。辽宁百思特达半导体科技有限公司氮化镓项目的落户、盘锦新资料闭环
中国电子元器件网：氮化镓代工争夺战开打
2024-07-04随着苹果手机X 3D传感技术的采用，半导体材料砷化镓因VCSEL等应用而闻名。最近，随着5G和电动汽车等新应用的兴起，对功率半导体的需求也在增加。新一代材料氮化镓(GaN)以其高频等优点迅速引起了市场的关注。以中国台湾企业为代表的铸造企业，在硅晶片铸造和砷化镓晶片铸造领域取得领先地位后，积极投身氮化镓领域，努力夺回铸造领域的领先地位。半导体材料进入第三代半导体材料经历了三个发展阶段。第一代是硅、锗和其他基本功能材料。第二代开始进入由两种以上元素组成的化合物半导体材料，以砷化镓(GaAs)、磷化
氮化镓“爆红”，康佳全面布局半导体产业
2024-06-28提起康佳这个品牌,相信很多人第一印象都会想到电视机。不过近些年由于市场竞争的家居,康佳电视的风光程度也大不如从前。不过康佳也早有未雨绸缪,从家电行业转进半导体芯片市场的不止格力电器一家,康佳公司这两年也开始布局芯片市场。并且成果渐显,首款存储芯片实现量产引发多方关注。 康佳入场芯片领域 康佳集团于1992年上市,曾是中国彩电和手机行业的龙头公司,拥有消费多媒体、移动通信、信息网络和相关配套器件等产业板块。 2018年5月,康佳宣布由家电企业转型为以科技创新驱动的投资平台,同时成立了半导体科技事
上海芯元基半导体在氮化镓材料领域取得重大创新突破
2024-06-27近日上海芯元基半导体科技有限公司（以下简称“芯元基”）宣布，基于其独创的DPSS衬底技术（蓝宝石复合图形衬底），该公司开发出了低位错密度的高阻GaN（氮化镓）材料，可用于电子功率器件和微波射频器件等的制备。芯元基开发的GaN外延晶体质量已经高于蓝宝石衬底的GaN晶体质量，同时结合该公司独有的化学剥离技术可以完美地解决蓝宝石衬底的散热问题，为高端光电子器件、电子功率器件和微波射频器件等提供了一个新的方向。 SiC（碳化硅）和Si（硅）基 GaN 是目前电子功率器件的主要衬底材料。SiC基GaN外
英飞凌8.3亿美元收购加拿大氮化镓半导体功率器件GaN Systems
2024-05-13英飞凌(INFINEON)官网3月2日宣布，根据协议将以8.3亿美元收购加拿大氮化镓半导体功率器件GaN Systems。 GaNSystems是开发基于GaN的功率转换解决方案的全球技术领导者，总部位于加拿大渥太华，拥有200多名员工。 英飞凌首席执行官JochenHanebeck表示，“收购GaNSystems将基于无与伦比的研发资源、应用理解和客户项目管道，显着加快我们的GaN路线图。按照我们的战略，此次合并将通过掌握所有相关的功率技术，无论是硅、碳化硅还是氮化镓，进一步加强英飞凌在功率
氮化镓的一个报告-电子发烧友网
2024-01-18GaN材料相信大家都不陌生了，就连电梯广告的快充都打着第三代GaN快充技术。氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。业界认为，在未来数年间，氮化镓功率器件的成本可望压低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等价格。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。 最
瑞萨电子收购氮化镓厂商Transphorm
2024-01-18瑞萨电子与氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm宣布，双方已达成最终收购协议。根据协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，这一价格较Transphorm在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元。 此次收购标志着瑞萨电子在扩展其业务范围和加速进入快速增长市场方面迈出了重要一步。通过收购Transphorm，瑞萨电子将获得自主的GaN技术，该技术有望在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源和工业电力转换等关键领域中发挥